Effect of Hydrogen on Electrical Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs After HTO Stress

材料科学 光电子学 宽禁带半导体 压力(语言学) 化学 语言学 哲学 有机化学
作者
Chang Liu,Hongxia Liu,Yiqiang Chen,Zongqi Cai,Zhiyuan He,Ping Lai
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (10): 5895-5900 被引量:2
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3438685
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