1200-V/10-A Low Thermal Resistance Ga2O3 Schottky Barrier Diode With Composite Terminal Structure and Substrate Thinning

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作者
Zhihong Feng,Shida Han,Yuangang Wang,Hongyu Guo,Shaobo Dun,Hongyu Liu,T. T. Han,Yuanjie Lv
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-6
标识
DOI:10.1109/ted.2025.3569254
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