Characterization of individual charge fluctuators in Si/SiGe quantum dots

表征(材料科学) 量子点 电荷(物理) 材料科学 纳米技术 光电子学 工程物理 物理 量子力学
作者
Feiyang Ye,Ammar Ellaboudy,Dylan Albrecht,Rohith Vudatha,N. Tobias Jacobson,John M. Nichol
出处
期刊:Physical review [American Physical Society]
卷期号:110 (23) 被引量:5
标识
DOI:10.1103/physrevb.110.235305
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