Obtención y caracterización de Nitruro de Silicio como capa antirreflectante para dispositivos optoelectrónicos

espanolLas capas antirreflectantes son comunmente usadas en las componentes de los sistemas opticos y en dispositivos optoelectronicos como los detectores de radiacion. En este trabajo presentamos la obtencion de Nitruro de Silicio a partir de deposito quimico en fase vapor asistido por plasma (PECVD), y su caracterizacion. La obtencion de este material tiene la ventaja de llevarse a cabo dentro del mismo proceso de fabricacion de dispositivos optoelectronicos, por lo que se evita cualquier contaminacion. La reflectividad alcanzada con esta capa es del 1 % para el valor de longitud de onda donde se optimiza el grosor de la capa, y de 4 %, al menos, para longitudes de onda diferentes. Se muestra la variacion de reflectividad para el caso en que la incidencia de la radiacion no sea perpendicular a la superficie. EnglishAntireflection coatings are used in optical components and optoelectronic devices. In this work we present a Silicon Nitride obtained by plasma enhancement chemical vapor deposition (PECVD), and his properties. The film reflectivity is equal to 1 % for optimal wavelength, and 4 % at least, for others wavelengths. The case when the incident beam is not perpendicular to film, is presented.