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Design a thieno[3,2-b]thiophene bridged nonfullerene acceptor to increase open-circuit voltage, short-circuit current-density and fill factor via the ternary strategy

三元运算 开路电压 接受者 噻吩 电流(流体) 电流密度 短路 电压 化学 材料科学 电气工程 物理 计算机科学 凝聚态物理 有机化学 工程类 量子力学 程序设计语言
作者
Xiaofang Li,Kun Li,Dan Su,Fugang Shen,Shuying Huo,Hongbing Fu,Chuanlang Zhan
出处
期刊:Chinese Chemical Letters [Elsevier]
卷期号:31 (5): 1243-1247 被引量:6
标识
DOI:10.1016/j.cclet.2019.10.029
摘要

Abstract In this study, we report a new small molecule acceptor (named TT-4F) which uses 3,6-dimethoxylthieno[3,2-b]thiophene (TT) as the π-bridge. Addition of 0.05 weight ratio amount of TT-4F into the host binary blend of PTB7-Th:IEICO-4F, resulting in a ternary blend in a weight ratio of 1:1:0.05, enables increased open-circuit voltage (Voc), short-circuit current-density (Jsc), and fill-factor (FF) at the same time. Finally, 12.1% efficiency is obtained. Compared to the 3-(2-ethylhexyloxylthiophene) bridge on IEICO-4F, the additional methoxyl group on the TT-6 position is involved in the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the larger π-system on TT increases the electron-donating nature, both of which help to raise the LUMO level, one reason of the increased Voc. Upon addition of 0.05 TT-4F, the hole mobility is increased, the monomolecular recombination is reduced, and the charge dissociation and collection is enhanced. All of these contribute to the increased Jsc and FF.

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