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Numerical Comparative Analysis of 10T-SRAM Cells with 6T, 7T, 8T, and 9T Using Vertical Nanowire Tunnel FETs

纳米线 静态随机存取存储器 材料科学 光电子学 纳米技术 电子工程 工程类
作者
Amit Das,Anjana Bhardwaj,Ashish Gupta,Geetanjali Raj
出处
期刊：Semiconductors [Pleiades Publishing]
日期：2025-05-01 卷期号：59 (5): 427-435 被引量：2
标识
DOI：10.1134/s1063782625600299
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