Scaling effect of nanoscale channel on the resistive switching performance of lateral molybdenum disulfide memristors

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作者
Danyun Wang,Daquan Yu,Hongyu Chen,Caiyuan Zhao,Xinyi Chen,Miao Lü
出处
期刊:Journal of Alloys and Compounds [Elsevier]
卷期号:1028: 180708-180708 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.jallcom.2025.180708

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