Novel 4H-SiC MESFET with amended minimum noise figure for high-frequency applications

MESFET 噪声系数 噪音(视频) 计算机科学 材料科学 声学 电信 电气工程 物理 晶体管 工程类 带宽(计算) 场效应晶体管 电压 人工智能 图像(数学) 放大器
作者
Zohreh Roustaie,Ali A. Orouji
出处
期刊:Journal of Computational Electronics [Springer Nature]
卷期号:24 (3)
标识
DOI:10.1007/s10825-025-02322-5
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