An Adversarial Active Sampling-Based Data Augmentation Framework for AI-Assisted Lithography Modeling

计算机科学 光学接近校正 稳健性(进化) 可制造性设计 人工神经网络 平版印刷术 人工智能 深度学习 利用 计算光刻 机器学习 数据建模 计算机工程 多重图案 工程类 数据库 抵抗 计算机安全 图层(电子) 化学 有机化学 视觉艺术 艺术 操作系统 基因 过程(计算) 机械工程 生物化学
作者
Mingjie Liu,H. Yang,Brucek Khailany,Haoxing Ren
标识
DOI:10.1109/iccad57390.2023.10323949
摘要

Lithography modeling is a crucial problem in chip design to ensure the manufacturability of chip design masks. It requires rigorous simulations of optical and chemical models that are computationally expensive. Recent developments in machine learning have provided alternative solutions in replacing time-consuming lithography simulations with deep neural networks. However, considerable accuracy drop still impede its industrial adoption. Most importantly, the quality and quantity of the training dataset directly affects the model performance. To tackle this problem, we propose a Litho-Aware Data Augmentation (LADA) framework to resolve the limited data dilemma and improve the machine learning model performance. First, we pretrain the neural networks for lithography modeling and a gradient-friendly StyleGAN2 generator. We then perform adversarial active sampling to generate informative and synthetic in-distribution mask designs. These synthetic mask images augment the original limited training dataset used to finetune the lithography model for improved performance. Experimental results demonstrate that LADA can successfully improve the model robustness and exploit the neural network capacity by narrowing the performance gap between the training and testing data instances.

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