A low power CMOS bandgap voltage reference with enhanced power supply rejection

带隙基准 CMOS芯片 电源抑制比 电压基准 电气工程 电流镜 电压 跌落电压 光电子学 带隙 低压 物理 功率(物理) 低功耗电子学 材料科学 线路调节 温度系数 工程类 晶体管 放大器 功率消耗 量子力学
作者
Wenguan Li,Ruohe Yao,Li-Fang Guo
标识
DOI:10.1109/asicon.2009.5351450
摘要

A low power low temperature-coefficient bandgap voltage reference features high power supply rejection (PSR) for low dropout regulators (LDOs) is presented in this paper. An optimized PSR enhance stage is inserted in opamp based CMOS bandgap voltage reference, which introduces supply spurious into the bandgap loop so as to maintain a constant gate-source voltage in the upper current mirror; this improves the PSR performance about 38 dB. A prototype of the bandgap voltage reference is implemented in TSMC 0.6 ¿m double poly, double metal, CMOS technology, occupying 0.07 mm 2 active silicon areas. The measured PSR are -82.8 dB @ 50 kHz and -70 dB @ 100 kHz, respectively; and, the supply current is 9 ¿A, the temperature-coefficient is 15ppm/°C at 2~5 V supply voltage, the line regulation is 54 ¿V/V.
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