材料科学
氮化硼
热导率
光电子学
砷化镓
硼
基质(水族馆)
纳米技术
化学
复合材料
有机化学
海洋学
地质学
作者
Samuel Graham,Sukwon Choi
标识
DOI:10.1038/s41928-021-00604-x
摘要
Boron arsenide could be used as a high-thermal-conductivity cooling substrate in gallium nitride power devices.
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