Diamond inverter consisted of high mobility and low on-resistance enhancement-mode C H diamond MISFET

错配 钻石 跨导 材料科学 光电子学 阈值电压 电子迁移率 晶体管 饱和电流 场效应晶体管 电压 电气工程 复合材料 工程类
作者
Qi He,Zeyang Ren,Yufei Xing,Jinfeng Zhang,Kai Su,Jincheng Zhang,Yue Hao
出处
期刊:Diamond and Related Materials [Elsevier BV]
卷期号:125: 109003-109003 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.diamond.2022.109003
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