Buried Interfaces in Halide Perovskite Photovoltaics

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作者
Xiaoyu Yang,Deying Luo,Yuren Xiang,Lichen Zhao,Miguel Anaya,Yonglong Shen,Jiang Wu,Wenqiang Yang,Yu‐Hsien Chiang,Yongguang Tu,Rui Su,Qin Hu,Hongyu Yu,Guosheng Shao,Wei Huang,Thomas P. Russell,Qihuang Gong,Samuel D. Stranks,Wei Zhang,Rui Zhu
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:33 (7) 被引量:251
标识
DOI:10.1002/adma.202006435
摘要

Abstract Understanding the fundamental properties of buried interfaces in perovskite photovoltaics is of paramount importance to the enhancement of device efficiency and stability. Nevertheless, accessing buried interfaces poses a sizeable challenge because of their non‐exposed feature. Herein, the mystery of the buried interface in full device stacks is deciphered by combining advanced in situ spectroscopy techniques with a facile lift‐off strategy. By establishing the microstructure–property relations, the basic losses at the contact interfaces are systematically presented, and it is found that the buried interface losses induced by both the sub‐microscale extended imperfections and lead‐halide inhomogeneities are major roadblocks toward improvement of device performance. The losses can be considerably mitigated by the use of a passivation‐molecule‐assisted microstructural reconstruction, which unlocks the full potential for improving device performance. The findings open a new avenue to understanding performance losses and thus the design of new passivation strategies to remove imperfections at the top surfaces and buried interfaces of perovskite photovoltaics, resulting in substantial enhancement in device performance.
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