Étude de l'ancrage du niveau de Fermi dans les jonctions de GaAs/électrolyte aqueux et non aqueux

Dans cet article, l'ancrage du niveau de Fermi dans les jonctions semiconducteur/électrolyte est étudié à partir de la détermination du potentiel de bandes plates. Le semiconducteur est l'arséniure de gallium (n et p) qui est mis en contact respectivement avec un milieu aqueux contenant un hétéropolyanion comme système oxydo-réducteur, le 18-tungsto-diphosphate P2W18O626-, et avec deux milieux non aqueux : l'acétonitrile (ACN) et le carbonate de propylène (CP) contenant divers couples redox. Les résultats sont d'abord analysés suivant le modèle proposé classiquement pour les jonctions semiconducteur/métal, puis à l'aide d'un modèle développé spécifiquement dans le cas de l'interface semiconducteur/électrolyte, prenant en compte le couplage entre réaction de corrosion et réaction redox. En milieu ACN, la surface du semiconducteur s'équilibre principalement avec le système redox (FLP total), et seulement partiellement en milieu H2O ou CP, au profit des interactions avec le milieu électrolytique.