High-power 808nm VCSEL arrays for Nd:YAG pumping

垂直腔面发射激光器 光电子学 材料科学 功率(物理) 激光器 光学 物理 量子力学
作者
Yang Li,Chuanchuan Li,Chongxian Yuan,Y. G. Wang,Xin Wei,Chen Liang-hui
标识
DOI:10.1117/12.3054213
摘要

High power large-scale single junction 808nm VCSEL arrays were fabricated at a chip size of 5.1mm×6mm with regular 100µm thickness substrate and packaged on commercial AlN submounts. The CW optical power was tested up to 100W from a single chip with maximum PCE of 44% and slope efficiency of 1.2W/A. The QCW optical power was tested up to 270W from a single chip with maximum PCE of 50% and slope efficiency of 1.35W/A. This is one of the best performances for high power VCSEL chips for commercial delivery. Side-pumped Nd:YAG laser was designed with these VCSEL chips and experiment was proceeded. High optical-to-optical pumping efficiency of 45% was calculated and the implied Nd:YAG stored energy was up to joules level. These experiments showed great potential for the high power VCSEL chips for Nd:YAG laser pumping and also offered great possibility for volume production and commercial delivery in the near future.
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