Pressure-tuned colossal magnetoresistance effect in n-type CdCr2Se4

居里温度 磁电阻 凝聚态物理 超巨磁阻效应 材料科学 磁性半导体 拉曼光谱 磁化 铁磁性 巨磁阻 半导体 电阻率和电导率 磁场 光电子学 光学 物理 量子力学
作者
Bowen Zhang,Chaohao Gu,Chao An,Xuliang Chen,Yonghui Zhou,Ying Zhou,Zhaorong Yang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:118 (26) 被引量:2
标识
DOI:10.1063/5.0049868
摘要

The p-type CdCr2Se4 exhibits semiconducting conductivity while n-type CdCr2Se4 displays a semiconductor–metal transition and a concomitant colossal magnetoresistance near the Curie temperature. Here, we investigate the pressure effect on the conductivity for both types of compounds. We show that the resistance of p-type sample decreases continuously upon compression, while the semiconducting behavior dominates up to 27.9 GPa. For the n-type sample, the semiconductor-metal transition is suppressed gradually with the increase in pressure; meanwhile, the magnetoresistance becomes less and less pronounced and is negligible at 9.2 GPa. Combined with in situ high-pressure magnetization, x-ray diffraction, and Raman spectra investigations, a ferromagnetic ground state is deduced in the pressurized n-type CdCr2Se4 before the structural transition, which is in stark contrast to the pressure effect on n-type HgCr2Se4.

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