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作者
Rui Xia,Yibo Xu,Bingbing Chen,Hiroyuki Kanda,Marius Franckevičius,Rokas Gegevičius,Shubo Wang,Yifeng Chen,Daming Chen,Jianning Ding,Ningyi Yuan,Ying Zhao,Cristina Roldán‐Carmona,Xiaodan Zhang,Paul J. Dyson,Mohammad Khaja Nazeeruddin
摘要
Stable wide bandgap (1.698 eV) perovskite devices achieving efficiencies of 19.67%, and open circuit voltages ( V oc ) above 1.2 V, and their integration into tandem n-i-p top perovskite silicon cells with 24% PCE for.
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