High synaptic plasticity enabled by controlled ion migration in organic heterojunction memristors

记忆电阻器 异质结 材料科学 突触可塑性 纳米技术 光电子学 神经科学 生物 医学 电气工程 工程类 内科学 受体
作者
Yangzhou Qian,Jiayu Li,Wen Li,Cheng‐Hung Hou,Ziyi Feng,Wei Shi,Mingdong Yi
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:12 (26): 9669-9676 被引量:20
标识
DOI:10.1039/d4tc01257g
摘要

Fabrication of organic heterojunction memristor with controlled ion migration enables precise synaptic behavior simulation.
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