Doping with KBr to Achieve High-Performance CsPbBr3 Semitransparent Perovskite Solar Cells

材料科学 钙钛矿(结构) 光伏 光电子学 透射率 兴奋剂 能量转换效率 化学气相沉积 钙钛矿太阳能电池 建筑集成光伏 带隙 光伏系统 纳米技术 化学工程 电气工程 工程类
作者
Xiongzhuang Jiang,Cong Geng,Xinxin Yu,Junye Pan,Huiren Zheng,Cheng Liang,Bin Li,Fei Long,Liyuan Han,Yi‐Bing Cheng,Yong Peng
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:16 (15): 19039-19047 被引量:27
标识
DOI:10.1021/acsami.4c02402
摘要

Wide-bandgap semitransparent perovskite photovoltaics are emerging as one of the ideal candidates for building-integrated photovoltaics (BIPV). However, surface defects in inorganic CsPbBr3 perovskite prepared by vapor deposition severely limit the optoelectronic performance of perovskite solar cells. To address this issue, a strategy of doping a trace amount of KBr into perovskite by vapor deposition is adopted, effectively improving the quality of the film, reducing surface defect concentration, and enhancing the transportation and extraction of charge carriers. Simultaneously, fully physical vapor deposition technology is employed to fabricate perovskite solar cells with an average visible light transmittance of 44%. These devices exhibited an ultrahigh open-circuit voltage of 1.55 V and a superior power conversion efficiency (PCE) of 7.28%, demonstrating excellent moisture and heat resistance. Moreover, the corresponding 5 cm × 5 cm modules achieve a PCE of 5.35% with great thermal insulation capability. This work provides an approach for fabricating highly efficient all-inorganic perovskite solar cells with high average visible light transmittance, demonstrating new insights into their application in building-integrated photovoltaics.
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