Mode insensitive switch for on-chip interconnect mode division multiplexing systems

计算机科学 算法 分析化学(期刊) 材料科学 化学 色谱法
作者
Guowu Zhang,Hassan Rahbardar Mojaver,Alok Das,Odile Liboiron-Ladouceur
出处
期刊:Optics Letters [Optica Publishing Group]
卷期号:45 (4): 811-811 被引量:37
标识
DOI:10.1364/ol.384771
摘要

A mode insensitive switch is proposed and experimentally demonstrated on a silicon-on-insulator platform using a balanced Mach–Zehnder interferometer structure with a mode insensitive phase shifter for on-chip mode division multiplexing interconnects. Switching the first three quasi-transverse electric (TE) modes, consuming less than 40 mW power is demonstrated. The whole system exhibits approximately 2 , 3.7 , and 5.2 d B insertion loss for the TE0, TE1, and TE2 modes at 1550 nm, respectively. The corresponding crosstalk is less than 8.6 ( 9 ) , 8 ( 10.3 ) , and 10 d B ( 10.3 d B ) within the wavelength range of 40 nm (1535–1575 nm) for the cross (bar) states, respectively. The extinction ratios (ERs) for the cross (bar) states are 20.1 (19.5), 22.8 (33.7), and 15.4 dB (18.1 dB) for the TE0, TE1, and TE2 modes at 1550 nm, respectively. The payload transmission is also conducted using non-return-to-zero pseudorandom binary sequence (PRBS)-31 data signals at 10 Gb/s for single-mode transmission and simultaneous three-mode transmissions. For all the scenarios, open eyes are observed.
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