Bonding and ionicity in semiconductors

离子键合 原子轨道 化学键 半导体 电子能带结构 价(化学) 电荷密度 基础(线性代数) 材料科学 凝聚态物理 物理 量子力学 电子 离子 数学 几何学
作者
N. E. Christensen,S. Satpathy,Z. Pawlowska
出处
期刊:Physical review [American Physical Society]
卷期号:36 (2): 1032-1050 被引量:290
标识
DOI:10.1103/physrevb.36.1032
摘要

Theoretical investigations of the bonding properties of 34 elemental and compound semiconductors are reported. From self-consistent band-structure calculations (within the local-density approximation) valence charge densities are calculated. The densities are obtained by transforming muffin-tin orbitals to a localized basis. Using another representation, an orthogonal basis, we construct ${\mathrm{sp}}^{3}$ hybrids and project out the bond and antibond characters, i.e., we derive first-principles values for ${\mathrm{sp}}^{3}$ bond orders. These, together with the first-principles tight-binding parameters, are used to study chemical trends. Relations to Phillips ionicity (${f}_{i}$) scale are established and it is demonstrated, for example, that the critical ionicity value ${f}_{i}$=0.786 found empirically separating the fourfold- from the sixfold-coordinated crystal structures also follows from total-energy calculations.
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