Surface oxidation activates indium tin oxide for hole injection

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作者
Delia J. Milliron,Ian G. Hill,Chenjin Shen,Antoine Kahn,Jeffrey Schwartz
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:87 (1): 572-576 被引量:300
标识
DOI:10.1063/1.371901
摘要

Oxygen plasma treatment of indium tin oxide (ITO) results in a change in work function and electron affinity by ∼0.5 eV. This change correlates with the measured increase in injected current in simple “hole-only” organic devices with O-plasma treated ITO electrodes. Neither addition nor removal of surface hydroxyl functionality accounts for the observed work function and electron affinity changes. X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopies show a new type of oxygen species is formed. Oxidation of surface Sn-OH to surface Sn-O• units is proposed to account for the observed changes in O-plasma treated ITO; this proposal can explain a wide variety of previously described ITO surface activation results.
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