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New mechanism of plasma induced damage on CMOS image sensor: Analysis and process optimization

光电二极管 暗电流 薄脆饼 材料科学 光电子学 等离子体 像素 电介质 二极管 图像传感器 图层(电子) CMOS芯片 光学 纳米技术 光电探测器 物理 量子力学
作者
J.-P. Carrere,J.-P. Oddou,S. Placé,C. Richard,Daniel L. Benoit,C. Jenny,Maxime Gatefait,C. Aumont,Amador Pérez‐Tomás,F. Roy
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:65-66: 51-56 被引量:20
标识
DOI:10.1016/j.sse.2011.06.037

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