Ellipsometric Study of Quasi-Monolayer InAs Embedded in GaAs at the Threshold of Quantum-Dot Formation

量子点 单层 材料科学 光电子学 纳米技术
作者
Lee Hosun,Y. J. Park,Kim E.-K.
出处
期刊:Journal of the Korean Physical Society [Springer Science+Business Media]
卷期号:40 (4): 716-716
标识
DOI:10.3938/jkps.40.716

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