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The effect of Si3N4/SiNX stacked structure for H plasma implantation in p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors

材料科学钝化光电子学泄漏（经济）晶体管阈值电压电子迁移率栅氧化层薄膜晶体管击穿电压电压 MOSFET 氮化硅场效应晶体管随时间变化的栅氧化层击穿氮化物电气工程反向漏电流和大门电子热载流子注入绝缘体（电）硅功率半导体器件感应高电子迁移率晶体管

作者

Yanhui Xing,Jie Shang,Zishuo Han,Guohao Yu,Xingjie Huang,Baoshun Zhang,Zhongming Zeng

出处

期刊：Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
日期：2025-11-03 卷期号：203: 110208-110208 被引量：1

标识

DOI：10.1016/j.mssp.2025.110208

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