Buried Interface Passivation of Sn–Pb Narrow‐Bandgap Perovskite for Highly Efficient All‐Perovskite Tandem Solar Cells

钝化 串联 钙钛矿(结构) 材料科学 光电子学 接口(物质) 带隙 工程物理 纳米技术 化学 结晶学 图层(电子) 复合材料 物理 毛细管数 毛细管作用
作者
Jin Zhang,Weisheng Li,Xiaojing Lv,Yitong Ji,Wenchao Huang,Tongle Bu,Zhiwei Ren,Canglang Yao,Fuzhi Huang,Yi‐Bing Cheng,Jinhui Tong
出处
期刊:Solar RRL [Wiley]
卷期号:8 (11) 被引量:4
标识
DOI:10.1002/solr.202400184
摘要

All‐perovskite tandem solar cells (ATSCs) present a remarkable opportunity to overcome the Shockley–Queisser efficiency limit of single‐junction solar cells. However, the stability of ATSCs significantly lags that of their pure Pb‐based single‐junction counterparts. Recent studies have identified that the widely used poly(3,4‐ethylenedioxythiophene)‐poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) hole transport layer in narrow‐bandgap (NBG) tin–lead (Sn–Pb) perovskite solar cells (PSCs) hinders the efficiency and stability. Herein, a patching strategy to optimize the interface between perovskite and PEDOT:PSS is proposed. Both theoretical and experimental studies reveal that PenA + and Ac − can decrease defect states at the interface and strengthen the binding between PEDOT:PSS and Sn–Pb perovskite. Furthermore, the pentylammonium acetate (PenAAc) interlayer improves carrier extraction and suppresses the oxidation of Sn 2+ to Sn 4+ . With the PenAAc buried layer, the fabricated NBG PSCs obtain an impressive power conversion efficiency (PCE) of 21.86%, along with significantly enhanced device stability. By integrating the buried passivated NBG Sn–Pb perovskite with a 1.75 eV wide‐bandgap PSC, the two‐terminal ATSC achieves a PCE of 26.54%. This work provides a valuable approach to fabricate efficient and stable NBG PSCs.
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