Solution processed Li-Al2O3/LiNbO3/Li-Al2O3 stacked gate dielectric for a non-volatile ferroelectric thin film transistor

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作者
Nila Pal,Rajarshi Chakraborty,Anand Sharma,Utkarsh Pandey,Vishwas Acharya,Krishna Prajapati,Akanksha Gupta,Swati Suman,Parasuraman Swaminathan,Akhilesh Kumar Singh,P.K. Roy,Bhola Nath Pal
出处
期刊:Journal of Alloys and Compounds [Elsevier BV]
卷期号:960: 170691-170691 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.jallcom.2023.170691
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