Investigation of Single Event Transient Induced by Process Variability in 14 nm High-k/Metal Gate SOI FinFET Devices

材料科学 绝缘体上的硅 工作职能 瞬态(计算机编程) 金属浇口 氧化物 阈值电压 光电子学 栅氧化层 电压 晶体管 金属 电气工程 计算机科学 冶金 工程类 操作系统
作者
Baojun Liu,Chuang Li,Minghua Chen
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (3): 1317-1324 被引量:4
标识
DOI:10.1007/s12633-022-02102-x
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