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Anisotropic phonon and magnon vibration and gate-tunable optoelectronic properties of nickel thiophosphite

声子 凝聚态物理 马格农 拉曼光谱 材料科学 非谐性 各向异性 光致发光 光电子学 物理 铁磁性 光学
作者
Zahir Muhammad,Jan Szpakowski,Ghulam Abbas,Lin Zu,Rajibul Islam,Yan Wang,Faiz Wali,Arka Karmakar,Maciej R. Molas,Yue Zhang,Ling Zhu,Weisheng Zhao,Han Zhang
出处
期刊:2D materials [IOP Publishing]
卷期号:10 (2): 025001-025001 被引量:11
标识
DOI:10.1088/2053-1583/aca9dc
摘要

Abstract Transition metal phosphorus trichalcogenides retain spin-charge coupling and lattice vibrations in different layers, which are useful for spintronic and optoelectronic devices. The phonon, magnons and excitonic properties of two-dimensional ternary nickel-phosphorus trisulfides (NiPS 3 ) are investigated using Raman spectroscopy and photoluminescence (PL) study. With magnetic exchange interaction, an exotic phonon scattering degenerates the optical phonons into in-plane A g and B g modes. We have observed eight Raman modes with two acoustic anisotropic magnon modes ( M 1 , M 2 ) below the critical temperature for co-( XX ), while only M 1 at cross ( XY ) polarizations. The M 1 mode is coupled with the phonon B g mode that can survive after transition temperature. The phonon and magnon modes soften with variations in temperature, which is attributed to anharmonic phonon–phonon coupling and interlayer forces. The polarized Raman shows the two-fold and four-fold symmetry orientations of the phonon and magnon modes, respectively, which exhibit strong in-plane anisotropic phonon/magnon. The PL spectra revealed the existence of bound excitonic features and ensemble emitters in NiPS 3 . The robust interlayer excitation and structural stability further revealed the optothermal properties. Moreover, the fabricated field-effect transistor on NiPS 3 reveals p -type semiconducting nature with an ON/OFF ratio of 5 × 10 6 and mobility of ∼16.34 cm 2 V −1 s −1 . In contrast, the rectification ratio indicates their diode characteristics. Similarly, the photocurrent is enhanced by changing the wavelength of light, which shows the potential for optoelectronics. The strong spin-charge interaction provides new insights into these materials’ magneto-optical and thermal properties for memory devices.

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