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Synergistic Self-Assembly Enabled Highly Ordered Mesoporous WSe2/WO3 Crystalline Heterostructures for Rapid NO2 Sensing at Room Temperature

介孔材料 异质结 材料科学 纳米技术 自组装 化学工程 光电子学 矿物学 化学 催化作用 有机化学 工程类
作者
Zhenliang Li,Yuan Ren,Yujian Rao,Rui Ma,Ao Xu,Zejun Han,Tuo Zhang,Xili Cui,Qiongfeng Shi,Li Tao
出处
期刊:ACS Sensors [American Chemical Society]
卷期号:10 (6): 4600-4608 被引量:4
标识
DOI:10.1021/acssensors.5c00955
摘要

A rapid and highly sensitive detection of harmful gas molecules is crucial in artificial olfaction (electronic nose), which plays a significant role in areas such as environmental monitoring and healthcare. However, it remains a significant challenge to construct highly sensitive molecular sensors with fast response at room temperature due to the limitations in structures and properties (e.g., porosity, crystallinity, and carrier mobility) of the sensing materials. Herein, this study proposes a facile method to enable highly crystalline mesoporous WSe2/WO3 (m-WSe2/WO3) semiconductor heterostructures through controllable interfacial self-assembly of polyoxometalate (POM) clusters and amphiphilic block copolymers combined with a thermal-assisted conversion process. It allows uniform pore size, open channels, large specific surface area, highly crystalline framework, and abundant transition metal chalcogenide/metal oxide heterojunction interfaces. The m-WSe2/WO3-based chemiresistive semiconductor sensor achieves efficient detection of NO2 at room temperature, including ultrafast response (5 s), high selectivity (SNO2/Sgas > 5), high sensitivity (62.5%@50 ppm), low detection limit (50 ppb), and long-term stability (>30 days). Thanks to the synergistic improvement of sensing dynamics between mesostructure and heterojunction, such a few-second response time has been reduced by half of the reported values in most existing counterparts based on two-dimensional materials. Our work paves the way for the application of high-performance and cost-effective molecular sensors in artificial olfaction, electronic skins, and wearable integrated circuits at room temperature.
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