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Semiconducting Ferroelectric SnS1–xSex van der Waals Alloy Flakes

铁电性 材料科学 范德瓦尔斯力 拉曼光谱 合金 凝聚态物理 居里温度 结晶学 半导体 光电子学 光学 铁磁性 化学 复合材料 物理 电介质 有机化学 分子
作者
Eli Sutter,Pramod Ghimire,Peter Sutter
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:25 (19): 8012-8018 被引量:4
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.5c01647
摘要

Single-layer monochalcogenides are predicted to be in-plane ferroelectrics but are challenging to obtain in the 2D limit. Recent work showed that synthetic few-layer SnSe and SnS flakes also support ferroelectricity. Key properties such as the Curie temperature may become tunable via anion substitution in SnS1-xSex alloys. Hence, protocols need to be developed that produce ferroelectric few-layer alloy crystals. Here, we report SnS1-xSex alloy flakes across the entire composition range obtained by a highly reproducible growth process using mixed SnS/SnSe precursors. Characterization by electron microscopy and diffraction, X-ray dispersive spectroscopy, and Raman spectroscopy shows the flakes to be high-quality single crystals whose phonon modes and optical bandgaps interpolate between SnSe and SnS. Thin SnS1-xSex flakes across all compositions carry ubiquitous stripe domain patterns, i.e., the flakes are ferroelectric with twin domain walls. Such composition-tunable alloy flakes can support research on the fundamental mechanisms of in-plane ferroelectricity in few-layer monochalcogenide van der Waals semiconductors.
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