Low-temperature resistivity of Bi and its alloys

The electrical resistivity of pure Bi, Bi-Sb, Bi-Pb, and Bi-Te alloys at 1.3 < T < 77°K has been measured. For all the systems the ideal resistivity shows a T2-dependence at low temperatures. However, there is a characteristic difference between the compensated (Bi, Bi-Sb) and the uncompensated materials (Bi-Pb, Bi-Te). Several mechanisms, which may account for the data, are discussed. Der spezifische elektrische Widerstand von reinem Bi, Bi-Pb-, Bi-Sb- und Bi-Te-Legierungen wurde für 1,3 < T < 77°K gemessen. Für alle diese Systeme zeigt der ideale Widerstand bei tiefen Temperaturen eine T2-Abhängigkeit. Es besteht jedoch ein charakteristischer Unterschied zwischen den kompensierten (Bi, Bi-Sb) und den unkompensierten Materialien (Bi-Pb, Bi-Te). Mehrere Mechanismen, die zu den Meßergebnissen führen können, werden diskutiert.