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Endurance/Retention Trade-off on $\hbox{HfO}_{2}/\hbox{Metal}$ Cap 1T1R Bipolar RRAM

材料科学 金属 电气工程 拓扑(电路) 物理 分析化学(期刊) 化学 工程类 冶金 有机化学
作者
Yang Yin Chen,Ludovic Goux,Sergiu Clima,B. Govoreanu,R. Degraeve,Gouri Sankar Kar,A. Fantini,G. Groeseneken,Dirk J. Wouters,M. Jurczak
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:60 (3): 1114-1121 被引量:243
标识
DOI:10.1109/ted.2013.2241064
摘要

The endurance/retention performance of HfO 2 / Metal cap RRAM devices in a 1T1R configuration shows metal cap dependence. For Hf and Ti caps, owning strong thermodynamic ability of extracting oxygen from HfO 2 , long pulse endurance (>10 10 cycles) could be achieved. For Ta cap, owning lower thermodynamic ability of extracting oxygen from HfO 2 , better retention can be achieved. Therefore, an endurance/retention performance tradeoff is identified on the 40 nm × 40 nm HfO 2 /Metal cap bipolar RRAM devices. The tradeoff of endurance/retention performance can be explained by a different filament constriction shape depending on metal cap layer as derived from fitting I - V curves in the quantum point contact model. This difference in filament constriction shape is attributed to the thermodynamics difference of metal cap: Hf and Ti have a stronger thermodynamical ability to extract oxygen from HfO 2 than Ta. The possibility of tuning the intrinsic reliability performance by changing the cap materials paves a way for optimizing the operation of RRAM devices into the desired specifics.
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