Electronic properties of three- and low-dimensional semiconducting materials with Pb halide and Sn halide units

卤化物 激子 带隙 电子结构 从头算 结合能 从头算量子化学方法 电子能带结构 电介质 分子物理学 化学 材料科学 无机化学 计算化学 原子物理学
作者
Ioannis Koutselas,L. Ducasse,George C. Papavassiliou
出处
期刊:Journal of Physics: Condensed Matter [IOP Publishing]
卷期号:8 (9): 1217-1227 被引量:137
标识
DOI:10.1088/0953-8984/8/9/012
摘要

Band-structure calculations, semiempirical as well as ab initio, have been applied to study the electronic band gap of the new exotic natural low-dimensional MX systems (where M = Pb or Sn and X = I, Br or Cl). Moreover, variational calculations are employed to calculate the excitonic binding energies, whose amplification is due not only to the quantum confinement of the excitons but also to a dielectric enhancement effect. A single set of semiempirical parameters is sought to describe the materials; comparison of the calculations with experimental data shows this to be successful in the case of the PbI- and PbBr-containing compounds. .
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