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Tuning the Band Gap in the Halide Perovskite CsPbBr3 through Sr Substitution

钙钛矿(结构) 带隙 材料科学 卤化物 光电子学 替代(逻辑) 无机化学 结晶学 化学 计算机科学 程序设计语言
作者
Daniel B. Straus,R. J. Cava
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:14 (30): 34884-34890 被引量:43
标识
DOI:10.1021/acsami.2c09275
摘要

The ability to continuously tune the band gap of a semiconductor allows its optical properties to be precisely tailored for specific applications. We demonstrate that the band gap of the halide perovskite CsPbBr3 can be continuously widened through homovalent substitution of Sr2+ for Pb2+ using solid-state synthesis, creating a material with the formula CsPb1-xSrxBr3 (0 ≤ x ≤ 1). Sr2+ and Pb2+ form a solid solution in CsPb1-xSrxBr3. Pure CsPbBr3 has a band gap of 2.29(2) eV, which increases to 2.64(3) eV for CsPb0.25Sr0.75Br3. The increase in band gap is clearly visible in the color change of the materials and is also confirmed by a shift in the photoluminescence. Density-functional theory calculations support the hypothesis that Sr incorporation widens the band gap without introducing mid-gap defect states. These results demonstrate that homovalent B-site alloying can be a viable method to tune the band gap of simple halide perovskites for absorptive and emissive applications such as color-tunable light-emitting diodes, tandem solar cells, and photodetectors.
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