Dry etching fin process for SOI finFET manufacturing: Transition from 32 to 22nm node on a 6T-SRAM cell

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作者
Efrain Altamirano Sánchez,Vasile Paraschiv,M. Demand,Werner Boullart
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:88 (9): 2871-2878 被引量:21
标识
DOI:10.1016/j.mee.2011.03.001
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