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Achieving low contact resistivity in PEDOT:PSS/n-Si solar cells

佩多:嘘 材料科学 电阻率和电导率 旋涂 图层(电子) 光电子学 太阳能电池 异质结 电导率 薄膜 纳米技术 电气工程 化学 工程类 物理化学
作者
Anil Kumar,Aldrin Antony,Pradeep R. Nair
出处
期刊:Physica Scripta [IOP Publishing]
卷期号:98 (3): 035005-035005 被引量:5
标识
DOI:10.1088/1402-4896/acb515
摘要

Abstract Good conductivity and transparency in the visible spectrum along with low processing temperatures and ease of fabrication make Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) a widely accepted polymer for organic-inorganic hybrid heterojunction solar cells. Although the overall conductivity of the PEDOT:PSS is high, the PSS segregates more at the surfaces of the deposited film. This leads to high contact resistivity of PEDOT:PSS film with metal and silicon. In this report, we explore the effect of the spin coating rates on the contact resistivity of PEDOT:PSS with the metal and silicon and the associated performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells. Two different spin speeds of 1000 rpm and 4000 rpm were used to deposit the PEDOT:PSS films over silicon. The PEDOT:PSS films were also deposited in single- and double-layer forms. We could achieve very low contact resistivity of PEDOT:PSS with silicon through spin speed optimizations. Hence, the overall performance of the PEDOT:PSS/n-Si solar cells improves with the spin speed for both single- and double-layer PEDOT:PSS film depositions.
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