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作者
Zhifeng Gu,Feng Shan,Jia Liu
标识
DOI:10.1038/s41598-024-72560-3
摘要
Co-doping of phosphorus and boron elements into crystalline silicon quantum dot (c-Si QD) is an effective approach for enhancing the photoluminescence (PL) performance. In this paper, we report on the preparation of hydrogenated silicon nitride (SiN
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