EPITAXY AND DEVICE APPLICATIONS OF GaAs ON Si

外延 材料科学 光电子学 工程物理 纳米技术 工程类 图层(电子)
作者
Jhang W. Lee,H. Shichijo,L.T. Tran
出处
期刊:Journal de physique. Colloque [EDP Sciences]
卷期号:48 (C5): C5-604 被引量:1
标识
DOI:10.1051/jphyscol:19875129
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