Multi-level storage in cleaved-gate ferroelectric FETs investigated by 3D phase-field-based quantum transport simulation

铁电性 材料科学 光电子学 相(物质) 量子 物理 量子力学 电介质
作者
Jeonghwan Jang,Hyeongu Lee,Mincheol Shin
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:216: 108928-108928
标识
DOI:10.1016/j.sse.2024.108928
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