All-Solution-Processed Perovskite Light-Emitting Diodes Based on a Thiol-Modified ZnO Electron-Transporting Layer

钙钛矿(结构) 发光二极管 材料科学 光电子学 光致发光 溶解过程 图层(电子) 二极管 化学工程 纳米技术 工程类
作者
Hailong Wang,Xiaoqi Tang,Guolong Sun,Desui Chen,Zhizhen Ye,Yang Liu,Yizheng Jin
出处
期刊:Journal of Physical Chemistry Letters [American Chemical Society]
卷期号:14 (25): 5827-5833 被引量:13
标识
DOI:10.1021/acs.jpclett.3c01428
摘要

All-solution-processed perovskite light-emitting diodes (LEDs) have the potential to be inexpensive and easily manufactured on a large scale without requiring vacuum thermal deposition of the emissive and charge transport layers. Zinc oxide (ZnO), which possesses superior optical and electronic properties, is commonly used in all-solution-processed optoelectronic devices. However, the polar solvent of ZnO inks can corrode the perovskite layer and cause severe photoluminescence quenching. In this work, we report the successful dispersion of ZnO nanoparticles in nonpolar n-octane by controlling the surface ligands from acetates to thiols. The nonpolar ink prevents the destruction of perovskite films. In addition, thiol ligands upshift the conduction band energy level, which also helps inhibit exciton quenching. Consequently, we demonstrate the fabrication of high-performance all-solution-processed green perovskite LEDs with a brightness of 21 000 cd/m2 and an external quantum efficiency of 6.36%. Our work provides a ZnO ink for fabricating efficient all-solution-processed perovskite LEDs.
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