Multifunctional Magnetic Oxide‐MoS2 Heterostructures on Silicon

异质结 材料科学 锰铁矿 范德瓦尔斯力 纳米技术 半导体 光电子学 晶体管 铁磁性 电压 凝聚态物理 电气工程 物理 工程类 有机化学 化学 分子
作者
Allen Jian Yang,Liang Wu,Yanran Liu,Xinyu Zhang,Kun Han,Ying Huang,Shengyao Li,Xian Jun Loh,Qiang Zhu,Rui Su,Ce‐Wen Nan,Xiao Renshaw Wang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:35 (33) 被引量:1
标识
DOI:10.1002/adma.202302620
摘要

Abstract Correlated oxides and related heterostructures are intriguing for developing future multifunctional devices by exploiting their exotic properties, but their integration with other materials, especially on Si‐based platforms, is challenging. Here, van der Waals heterostructures of La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 (LSMO) , a correlated manganite perovskite, and MoS 2 are demonstrated on Si substrates with multiple functions. To overcome the problems due to the incompatible growth process, technologies involving freestanding LSMO membranes and van der Waals force‐mediated transfer are used to fabricate the LSMO‐MoS 2 heterostructures. The LSMO‐MoS 2 heterostructures exhibit a gate‐tunable rectifying behavior, based on which metal‐semiconductor field‐effect transistors (MESFETs) with on‐off ratios of over 10 4 can be achieved. The LSMO‐MoS 2 heterostructures can function as photodiodes displaying considerable open‐circuit voltages and photocurrents. In addition, the colossal magnetoresistance of LSMO endows the LSMO‐MoS 2 heterostructures with an electrically tunable magnetoresponse at room temperature. This work not only proves the applicability of the LSMO‐MoS 2 heterostructure devices on Si‐based platform but also demonstrates a paradigm to create multifunctional heterostructures from materials with disparate properties.
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