Reliability of discrete SiC MOSFETs under severe temperature-shock and power cycling tests

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作者
Patrick Heimler,S. Richter,Josef Lutz,Thomas Basler
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:173: 115844-115844
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2025.115844

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