Halogenated Ethylamine Hydrochloride Modulation Facilitating a VOC of 1.19 V in Perovskite Solar Cells

乙胺 材料科学 钙钛矿(结构) 钝化 中间相 盐酸盐 离子 化学工程 图层(电子) 光电子学 纳米技术 有机化学 液晶 工程类 化学
作者
Ying Wang,Jihuai Wu,Chunyan Deng,Fengli Liu,Mengyao Guo,Jingwei Xu,Lin Gao,Miaoliang Huang,Lan Zhang,Peng Gao
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:35 (20) 被引量:10
标识
DOI:10.1002/adfm.202419868
摘要

Abstract Interface engineering has emerged as an effective strategy for optimizing the charge carrier dynamics in perovskite solar cells, and the design of modulators plays a crucial role in improving interface effects. Here, halogenated ethylamine hydrochloride (XEA), such as 2‐fluoroethylamine hydrochloride (FEA), 2‐chloroethylamine hydrochloride (CEA), or ethylamine hydrochloride (EA), is incorporated into the buried interface between perovskite layer (PVK) and SnO 2 electron transport layer (ETL) to assist crystal growth, tune the energy level and passivate defects. Pre‐embedded XEA interacts with PbI 2 to form a 2D mesophase. The mesophase assists the growth dynamics and orientation of the epitaxial perovskite, resulting in uniform perovskite films with larger grains and higher densification, effectively reducing the defects caused by excess PbI 2 at the buried interface. NH 3 + cation and X − anion ions on XEA fill and coordinate the vacancies, passivating the defects in SnO 2 and perovskite. Meanwhile, the introduction of XEA adjusts the energy match between PVK/ETL, compensating the energy loss at the buried interface. Consequently, the FEA‐modified devices exhibited a power conversion efficiency of 24.7%, featuring an exceptionally high open‐circuit voltage of 1.19 V and remarkable stability.
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