原子层沉积
材料科学
金属-绝缘体过渡
自然键轨道
脉冲激光沉积
退火(玻璃)
铌
氧化物
光电子学
绝缘体(电)
薄膜
阈值电压
电压
氧化铌
金属
纳米技术
电气工程
晶体管
冶金
分子
化学
工程类
有机化学
作者
Na Rae Park,Yong Tae Kim,Yunkyu Park,Jae Yu Cho,Seung Soo Oh,Jaeyeong Heo,Junwoo Son
摘要
We report two-terminal threshold devices that use niobium oxide (NbOx) thin films that were synthesized using atomic layer deposition (ALD) then pulsed-laser annealing.
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