First-principles study on the electronic structures of Cr- and W-doped single-layer MoS2

材料科学 从头算 电子结构 兴奋剂 凝聚态物理 密度泛函理论 光电子学 带隙 电子能带结构 计算化学 物理 化学 量子力学
作者
Wu Mu-Sheng,Bo Xu,Gang Liu,Chuying Ouyang
出处
期刊:Chinese Physics [Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences]
卷期号:62 (3): 037103-037103 被引量:16
标识
DOI:10.7498/aps.62.037103
摘要

We study the electronic properties of Cr- and W-doped single-layer MoS2 using an ab initio method according to the density functional theory. Our calculated results show the energy band structures of MoS2 are significantly affected by Cr doping, but not by W doping at a high doping concentration. The effects of Cr doping manifest as the transition of energy band structure from direct to indirect, and the decrease of band gap. Our further analysis reveals that strain is the direct reason for the change of electronic structure in the Cr-doped MoS2.
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