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作者
Yafei Jiang,Hui Peng,Yu Cai,Yating Xu,Meng-Yao Fu,Min Feng,Bowen Wang,Yaqiong Wang,Zhao Guan,Binbin Chen,Ni Zhong,Chun‐Gang Duan,Ping‐Hua Xiang
出处
期刊：Materials horizons
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2025-01-01
卷期号：12 (17): 6928-6937
被引量：2
摘要
High-performance ferroelectric tunnel junction (FTJ) synapse devices with adaptive conductance compensation from ferroelectric diode (FD) and resistor ( R ) components have been demonstrated on a high-throughput thickness-gradient BaTiO 3 thin film.
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