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A quasi-zero-gap semiconductor at high pressures as a model of amorphous semiconductor

作者
M. I. Daunov,И. К. Камилов,S. F. Gabibov,A. B. Magomedov
出处
期刊：Russian Physics Journal [Springer Science+Business Media]
日期：2008-07-01 卷期号：51 (7): 680-685
标识
DOI：10.1007/s11182-008-9094-2
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