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Fabrication Technique of High Density Quantum-Wire Arrays by Photolithography and Metalorganic Chemical Vapor Deposition

作者
Shuling Yang,R. Barone,Ping Chen
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:30 (12B): L2120-L2120
标识
DOI:10.1143/jjap.30.l2120
摘要

We have fabricated GaAs quantum-wire arrays by using photolithography and metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Multiple quantum-wire structures with lateral dimensions less than 200 Å×1200 Å have been obtained. An area filling factor greater than 50% can be achieved.

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