Rectifying mechanism of “pressed sandwich” type membrane junctions

The "pressed sandwich" type of membrane junction, containing a thin layer of water between cationic and anionic ion-exchange resins in which the mobile ions are protons and hydroxyl ions, is considered theoretically as an analogy of the p-n semiconductor junction containing an intrinsic semiconductor layer between the p- and n-types. The treatment gives the correct form of the previously observed current dependence on voltage. Le type "sandwich pressé" de jonction de membrane, contenant une mince couche d'eau entre les résines échangeuses d'ions cationique et anionique, les ions mobiles étant des protons et des hydroxyles, est envisagé théoriquement selon l'analogie d'une jonction semiconductrice p-n contenant une couche de semiconducteur intrinsèque entre les types p et n. Le calcul donne correctement la forme de dépendance observée antérieurement entre le courant et la tension globale. Das Membransystem vom "pressed sandwich"-Typ, welches aus einem dünen Wasserfilm zwischen kationischen und anionischen Ionenaustauschermembranen besteht und in welchem die beweglichen Ionen Protenen und Hydroxylionen sind, wird theoretisch als Analogon eines p-n Halbleiterüberganges betrachtet, welcher aus einer Schicht eines intrinsischen Halbleiters zwischen p- und n-Schichten besteht. Die Auswertung dieses Modells ergibt die richtige Form für die Beziehung zwischen Strom und Klemmenspannung, wie sie vorgängig beobachtet wurde.